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IGBT、MOSFET、二极管雪崩耐量测试仪

IGBT、MOSFET、二极管雪崩耐量测试仪
价格:请询盘
产地:陕西西安
品牌:易恩电气
规格:800×800×1800mm
联系人:李想
电话:029-86095858 15249202572
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详情介绍更新时间:2019/4/23 13:31:52
ENX2020 雪崩耐量测试系统
概述
向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时,电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减,此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量,表示施加电压时的抗击穿性。对于那些在元件两端产生较大尖峰电压的应用场合,就要考虑器件的雪崩能量,电压尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定,因此对于反激的应用场合,电路关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下,功率器件都会降额,从而留有足够的电压余量,但是一些电源在输出短路时,初级会产生较大的电流,加上初级电感,器件就会有雪崩损坏的可能,因此在这样的应用条件下,就要考虑器件的雪崩能量。另外,由于一些电机的负载是感性负载,而启动和堵转过程中会产生极高的冲击电流,因此也要考虑器件的雪崩能量。
ENX2020雪崩耐量测试仪是本公司研发设计的测试IGBT、MOSFET、二极管雪崩耐量的专业测试设备,能够准确快速的测试出IGBT、MOSFET、、二极管的雪崩耐量。
西安易恩电气ENX2020 雪崩耐量测试系统,该设备包括:可控直流电源、可选电感、电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压、IGBT、MOSFET、二极管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二极管功率型器件保护电路、计算机控制系统、雪崩电压采集系统、雪崩电流采集系统、测试夹具、测试标准适配器、外接测试端口(根据客户需求)等多个部分。
规格/环境要求
电压频率:50Hz±1Hz
环境温度:15~40℃
工作湿度:温度不高于+30℃时,相对湿度5%-80%。
温度+30℃到+50℃时相对湿度5%-45%,无冷凝。
大气压力: 86Kpa~106Kpa
海拔高度:不超过3000米。
尺  寸:800x800x1800mm
质  量:210KG
工作电压:AC220V±10%无严重谐波
系统功耗:320W
通信接口:USB RS232
技术指标
配置 测试范围 测试参数 条件 范围
电压
1000V IGBTs
绝缘栅双极型晶体管 EAS/单脉冲雪崩能量 VCE 20V-4500V 20-100V±3%±1V
100-1000V±3%±5V
1000-4500V±3%±10V
电流
200A MOSFETs
MOS场效应管 EAR/重复脉冲雪崩能量 Ic 1mA-200A 1mA-100mA±3%±0.1mA
100mA-2A±3%±5mA
2A-200A±3%±50mA
 DIODEs
二极管 IAS/单脉冲雪崩电流 Ea 1J-2000J 1J-100J±3%±1J
100J-500J±3%±5J
500J-2000J±3%±10J
  PAS/单脉冲雪崩功率 IC检测 50mV/A(取决于传感器)
   感性负载 10mH、20mH、40mH、80mH、100mH
   重复间隙时间 1-60s可调(步进1s)重复次数:1-50次
西安易恩电气科技有限公司
主营业务:全自动大功率IGBT参数测试系统,分立器件综合测试仪,功率器件图示系统,晶体管图示仪,MOS动静态测试测试仪
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